CGD65B130S2-T13

CGD65B130S2-T13

零件编号
CGD65B130S2-T13
产品分类
单 FET、MOSFET
制造商
Cambridge GaN Devices
描述
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
封装
-
包装
卷带式 (TR)
ROHS状态
Yes
价格
USD $3.7236
数据表
数量
RFQ
库存: 24885
最小 : 5000
倍数 : 1
数量
单价
价格
1
$3.7236
$3.7236
10
$3.1262
$31.2620
100
$2.5288
$252.8800
500
$2.2504
$1,125.2000
1000
$1.9256
$1,925.6000
2000
$1.8154
$3,630.8000
5000
$1.7400
$8,700.0000
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购买及询价
规格
运输
数据表
类型描述
制造商Cambridge GaN Devices
系列ICeGaN™
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerVDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C12A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs182mOhm @ 900mA, 12V
场效应管特性Current Sensing
Vgs(th)（最大值）@Id4.2V @ 4.2mA
供应商设备包8-DFN (5x6)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）9V, 20V
Vgs（最大）+20V, -1V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs2.3 nC @ 12 V

运输费


运费起价 40 美元，但某些国家/地区的运费会超过 40 美元。 例如（南非、巴西、印度、巴基斯坦、以色列等）
基本运费（包裹≤0.5公斤或相应体积）取决于时区和国家。


邮寄方式


目前，我们的产品通过 DHL、FedEx、SF 和 UPS 运输。


交货时间


货物发货后，预计交货时间取决于您选择的运输方式：

联邦快递国际，5-7 个工作日。

以下是一些常见国家的物流时间。

transport

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